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SP6616P

是一顆電流模式PWM控制芯片,內(nèi)置650V高壓功率MOSFET,應用于功率在13W以內(nèi)的方案

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       SP6616P是一顆電流模式PWM控制芯片,內(nèi)置650V高壓功率MOSFET,應用于功率在13W以內(nèi)的方案。SP6616P在PWM模式下工作于固定開關(guān)頻率,這個頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時,工作頻率由IC內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時的損耗,提高整機的工作效率。SP6616P在啟動和工作時只需要很小的電流,可以在啟動電路中使用一個很大的電阻,以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補償電路,當電路工作于大占空比時,避免次諧波振蕩的發(fā)生,改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(Leading-edge blanking time),消除緩沖網(wǎng)絡中的二極管反向恢復電流對電路的影響。SP6616P采用了抖頻技術(shù),能夠有效改善系統(tǒng)的EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(20KHz)以上,在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6616P內(nèi)置多種保護,包括輸出過壓保護(VOUT OVP),逐周期限流保護(OCP),過載保護(OLP),過壓保護(VDD OVP),VDD過壓箝位,欠壓保護(UVLO),過溫保護(OTP)等,通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動控制。


典型應用框圖

功能

 ● 全電壓滿足輸入待機功耗小于75mW

 ● 內(nèi)置650V高壓功率管

 ● 4ms軟啟動用來減少MOSFET上Vds的應力

 ● 抖頻功能,改善EMI性能

 ● 跳頻模式,改善輕載效率,減小待機功耗

 ● 無噪聲工作

 ● 固定55KHz開關(guān)頻率

 ● 內(nèi)置同步斜坡補償

 ● 低啟動電流,低工作電流

 ● 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能

 ● 過載保護(OLP),逐周期限流保護(OCP)

 ● VDD過壓保護(VDD OVP),欠壓保護(UVLO),VDD電壓箝位

 ● 輸出過壓保護(VOUT OVP)

 ● 過溫保護(OTP)

 ● DIP7無鉛封裝

應用

 ● 充電器

 ● PDA、數(shù)碼相機、攝像機電源適配器

 ● 機頂盒電源

 ● 開放框架式開關(guān)電源

 ● 個人電腦輔助電源

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